江南眼睛发亮：“说下去。”
“非晶硅层可以作为缓冲，如果我们控制后续晶体生长速率，让单晶硅在非晶层上外延生长，反而可能获得更好的界面特性。”
瑞恩越说越快，眼睛越来越亮。
“这样我们就不需要调整整个实验温度场，只需要在第二阶段将升温速率提高到11%，并在第三阶段延长退火时间至少34秒，这是完全有可能做到的!!”
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